SK하이닉스가 현존 최고층 238단 낸드플래시 메모리 반도체 개발에 성공했다고 3일 발표했다. 낸드플래시 메모리는 스마트폰이나 USB, SSD 등 데이터 저장장치에 들어간다. 삼성전자는 현재 176단 낸드플래시 메모리 기술을 보유하고 있다.

최근 SK하이닉스는 238단 512기가비트Gb 트리플레벨셀 4D 낸드플래시 샘플을 고객사에 전달했다고 한다. 내년 상반기부터 양산에 들어간다는 계획이다.